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- [发明专利]磁致电阻头-CN03823246.4无效
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近藤玲子;清水丰;田中厚志
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富士通株式会社
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2003-03-06
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2005-10-19
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G11B5/39
- 一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向
- 致电
- [其他]光致电压模块-CN200990100586.1有效
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I·希尼科
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欧瑞康太阳能(处贝区市)公司
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2009-11-23
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2012-03-14
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H01L31/042
- 本实用新型涉及一种用于经由一连接装置固定及支撑一光致电压模块(1)于一表面的方法，该连接装置包括两连接部件，其中之一连接部件附接至该光致电压模块(1)的背面，而另一连接部件附接至该表面，其中，该其中之一连接部件包括一支撑点9)，该结构构件(9)形成一容座(10)，该另一连接部件包括一枢轴(11)，该容座(10)与该枢轴(11)相互配合，该结构构件(9)包括一固定装置，用以固定该枢轴(11)于该容座(10)中，为固定该光致电压模块(1)于该表面上，将该结构构件(9)插至该枢轴(11)上，且当该结构构件(9)插至该枢轴(11)上时，该固定装置固定该枢轴(11)于该容座(10)中，藉此形成该光致电压模块(1)与该表面的一接合。
- 致电模块
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN200810125930.4在审
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相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2008-06-11
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2008-12-17
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H01L27/22
- 本发明提供一种磁传感器及其制造方法，该磁传感器用于检测两轴方向或三轴方向磁场，其包括基底；氧化硅膜，形成在基底上，以便形成平坦表面和斜面；多个磁致电阻元件，每个磁致电阻元件都通过在基底上层叠自由层、导电层和钉扎层而形成；多个引线膜，形成为串行连接多个磁致电阻元件；CVD氧化膜，用于覆盖多个磁致电阻元件；和非磁性膜，形成在磁致电阻元件和CVD氧化膜之间，以便相对于每个磁致电阻元件覆盖自由层的周边。由此，可以使磁传感器包括具有优秀磁滞特性的磁致电阻元件。
- 传感器及其制造方法
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